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          2dsemiconductors公司簡介

          更新時間:2024-04-10      點(diǎn)擊次數(shù):1592

          2dsemiconductors

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          鏈接:https://www.2dsemiconductors。。com/

          2D semiconductors是高質(zhì)量2D層狀晶體、2D解決方案和2D粉末的世界領(lǐng)x制造商。所有產(chǎn)品都是在美國其自己的工廠設(shè)計(jì)、制造和合成的。采用高科技技術(shù),如HR-TEMSTM、拉曼、光致發(fā)光、XRDOmega搖擺曲線測量、電子傳輸、SIMSSEM由先進(jìn)的材料表征技術(shù)提供動力使2D semiconductors能夠提供可靠、高質(zhì)量和獨(dú)t的材料。2D semiconductors的理念是達(dá)到科學(xué)可靠性的w美,大單晶疇尺寸,沒有隱藏相,沒有嵌入的非晶段,沒有雜質(zhì)(6N=99.9999%純度)半導(dǎo)體級材料,高發(fā)光,可靠的激子復(fù)合時間。

          主要產(chǎn)品線

          一、石墨

           石墨和石墨烯相關(guān)的產(chǎn)品

          二、3D量子晶體

          該類別包含具有獨(dú)t物理性質(zhì)的大塊(非層狀)3D量子晶體,涉及Weyl物理學(xué)、Dirac物理學(xué)、拓?fù)洳牧稀⒘孔踊魻栃?yīng)等。

          三、2D MAXENE MXENE

          MAXenes類似于石墨和MoS2MAX相是層狀的,并且具有通式:Mn+1AXn,(MAX),其中n=1-3M是早期過渡金屬,A是非金屬元素,X是碳和/或氮。2D semiconductors推出的s界上第一款電子和光學(xué)級商用層狀MAXene相材料。MAX使用專門開發(fā)的技術(shù)合成的,包括大型反應(yīng)器化學(xué)氣相沉積,以產(chǎn)生世界上z高的純度(保證99.999%或更高)、電子和光學(xué)級以及層狀MAX相。

          四、2D MBE單層

          分子束外延(Molecular beam epitaxy, MBE)生長被認(rèn)為是外延合成高質(zhì)量光學(xué)、電子、量子和熱級材料的最復(fù)雜技術(shù)之一。將非常少量的原子(每秒低至5個原子)發(fā)送到原子平坦的襯底上以達(dá)到高結(jié)晶度的能力。整個合成在低至1E-9托的壓力下進(jìn)行,以產(chǎn)生高質(zhì)量和純材料。目前,2D semiconductors提供MoS2MoSe2WS2WSe2單層等多種MBE材料

          五、2D CVD單層

          2D semiconductors在各種不同類型的底上提供MoS2MoSe2WSe2WS2SnS2SnSe2ReS2ReSe2的單層,包括藍(lán)寶石、石英、SiO2/SiPET和(由客戶)設(shè)計(jì)的

          六、2D絕緣體

          七、2D半導(dǎo)體

          2D semiconductors提供各種大尺寸、高質(zhì)量、電子和光學(xué)級的層狀vdW晶體。該類別包含2D半導(dǎo)體vdW單晶,其帶隙值從紅外(IR)到紫外(UV)不等。2D semiconductors的晶體是通過各種不同的方法合成的,包括化學(xué)氣相傳輸(CVT)通量區(qū)技術(shù)、浮動區(qū)技術(shù)和其它的一些專li技術(shù)。

          八、2D磁體

          九、2D超導(dǎo)體

          大尺寸、高質(zhì)量、電子和光學(xué)級層狀vdW晶體的無缺陷單晶。該類別包含2D金屬、半金屬、超導(dǎo)或CDW單晶。

          十、2D粉末

          世界上d一批單層粉末

          下圖為2D semiconductors公司授權(quán)上海起發(fā)實(shí)驗(yàn)試劑有限公司作為中國區(qū)域代理的授權(quán)書。

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          2D semiconductors熱賣產(chǎn)品

          貨號

          產(chǎn)品名稱

          規(guī)格

          品牌

          BLK-WS2

          Tungsten Disulfide (WS2)

          ea

          2D semiconductors

          BLK-BA

          Black Arsenic

          ea

          2D semiconductors

          BLK-hBN-HPA

          Hexagonal Boron Nitride (h-BN)

          ea

          2D semiconductors

          BLK-MoTe2

          Molybdenum Ditelluride (2H MoTe2)

          ea

          2D semiconductors

          BLK-NiPS3

          NiPS3 Crystal

          ea

          2D semiconductors

          BLK-ZRS2

          Zirconium Disulfide (ZrS2)

          ea

          2D semiconductors

          BLK-ZrSe2

          ZrSe2 - Zirconium Diselenide Crystal

          ea

          2D semiconductors

          BLK-ZrTe2

          ZrTe2 Crystal

          ea

          2D semiconductors

          CVD-MoS2-ML-S

          Full Area Coverage Monolayer MoS2 on Si02/Si

          ea

          2D semiconductors

          CVD-WS2-ML-SiO2Si

          WS2 on SiO2/Si

          ea

          2D semiconductors

          kish-graphite

          Kish graphite

          ea

          2D semiconductors

          BLK-WS2

          Tungsten Disulfide (WS2)

          ea

          2D semiconductors

          BLK-hBN-HPA

          Hexagonal Boron Nitride (h-BN)

          ea

          2D semiconductors

          BLK-MoS2-SYN

          Synthetic Molybdenum Disulfide (MoS2)

          ea

          2D semiconductors

          TransferredCVD

          Transferred CVD grown monolayers

          ea

          2D semiconductors

          BLK-hBN-LG

          h-BN (large size)

          ea

          2D semiconductors

          BLK-MoTe2

          Molybdenum Ditelluride (2H MoTe2)

          ea

          2D semiconductors





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